ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
Показано с 1761 по 1780 из 42179 записей
Наименование Производитель Описание Фото
MID300-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VИзображение
MID200-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VИзображение
BSM50GD60DLC-E3226 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 3-PHASEИзображение
MWI35-12A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 1200VИзображение
MITA30WB600TMH Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2Изображение
VUB50-12PO1 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VИзображение
MID150-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VИзображение
VUB120-12NO2 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 1200VИзображение
MDI100-12A3 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VИзображение
MWI50-06A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600VИзображение
VUB160-12NO2 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 160 Amps 1200VИзображение
VUB120-16NO2 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 120 Amps 1600VИзображение
MKI100-12F8 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VИзображение
MID100-12A3 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 100 Amps 1200VИзображение
MWI25-12A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200VИзображение
MWI75-06A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600VИзображение
MWI50-12A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200VИзображение
MKI50-06A7 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600VИзображение
MID550-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 550 Amps 1200VИзображение
VUB50-16PO1 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1600VИзображение
« Назад 87 88 89 90 91 Вперед »