ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
Показано с 1741 по 1760 из 42179 записей
Наименование Производитель Описание Фото
FF800R17KE3_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.2KAИзображение
FMM7G50US60I Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A ModuleИзображение
FMC7G10US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Изображение
BYM200B170DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 200AИзображение
BSM200GT120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A TRIPACKИзображение
FMC7G50US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Изображение
BSM200GAL120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPERИзображение
BSM150GAL120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A CHOPPERИзображение
MWI30-06A7T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600VИзображение
FMC6G10US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Изображение
MDI200-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 1200VИзображение
MWI451-17E9 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475AИзображение
MDI75-12A3 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VИзображение
MDI400-12E4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 1200VИзображение
MDI300-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 300 Amps 1200VИзображение
MDI150-12A4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 1200VИзображение
IXRB5-506MINIPACK2 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MiniPack 2Изображение
MID400-12E4T Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 1200VИзображение
MID400-12E4 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 400 Amps 1200VИзображение
MID75-12A3 Ixys Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)IxysМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1200VИзображение
« Назад 86 87 88 89 90 Вперед »