| BLF6G10L-40BRN,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| BLF7G20L-250P,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 0.078Ohms |  |
| BLF6G15L-40RN,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Pwr LDMOS transistor transistor |  |
| MRFE6VP5600HR6 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6 600W 50V NI1230H |  |
| BLF7G24L-140,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| BLF7G22LS-100P,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Pwr LDMOS transistor transistor |  |
| BLL6G1214L-250,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| BLF6G10LS-260PRN,1 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Single 65V 64A 0.1Ohms |  |
| BLF7G27L-150P,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | Transistors de puissance RF a MOSFET PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| BLF888BS,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура UHF pwr LDMOS transistor |  |
| BLL6H0514LS-130,11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Single 100V 18A 200mOhms |  |
| PTFA211801E V5 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 180W 2110-2170 MHz |  |
| BLF7G22L-160,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура Power LDMOS transistor |  |
| MRF18060ALR3 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура 60W GSM 1.8GHZ |  |
| AGR09090EF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor |  |
| AGR09030EF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor |  |
| AGR26045EF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor |  |
| AGR19030EF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor |  |
| AGR09045WEF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS Transistor |  |
| AGR21045EF TriQuint Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | TriQuint Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура RF Transistor |  |