| BLA6G1011L-200RG,1 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BLA6G1011L-200RG,1 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR) |
| BLF8G22LS-160BV:11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура 160W LDMOS TRANSISTR | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="BLF8G22LS-160BV:11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура 160W LDMOS TRANSISTR) |
| BLL6G1214LS-250,11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BLL6G1214LS-250,11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR) |
| PTFB183404E V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="PTFB183404E V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz) |
| PTFB082817FH V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5456818.jpg" alt="PTFB082817FH V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHz) |
| MRF8S8260HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 260W NI880H | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5449165.jpg" alt="MRF8S8260HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 260W NI880H) |
| PTFB182503FL V2 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457050.jpg" alt="PTFB182503FL V2 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz) |
| PTFA091203EL V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457113.jpg" alt="PTFA091203EL V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz) |
| SD2931-12W STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="SD2931-12W STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz) |
| PTFA091203EL V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457223.jpg" alt="PTFA091203EL V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz) |
| PD20010STR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF power tran LdmoST N-chann | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="PD20010STR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RF power tran LdmoST N-chann) |
| PTFB082817FH V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5456973.jpg" alt="PTFB082817FH V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHz) |
| MRF8S18120HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 1.8GHZ 120W NI780H | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457347.jpg" alt="MRF8S18120HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 1.8GHZ 120W NI780H) |
| PD20010TR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF power tran LdmoST N-chann | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457496.jpg" alt="PD20010TR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RF power tran LdmoST N-chann) |
| PTFA180701E V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457387.jpg" alt="PTFA180701E V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8) |
| BLF6G15L-500H,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TRANS DIGITAL 1.5 GHZ | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BLF6G15L-500H,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS TRANS DIGITAL 1.5 GHZ) |
| PTFA180701E V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457559.jpg" alt="PTFA180701E V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура Hi Pwr RF LDMOS FET 70 W 1805-1880 MHz) |
| MRF8S18120HSR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 1.8GHZ 120W NI780HS | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457833.jpg" alt="MRF8S18120HSR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 1.8GHZ 120W NI780HS) |
| MRF8HP21130HSR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 2.1GHZ 130W NI780S-4 | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/5457682.jpg" alt="MRF8HP21130HSR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 2.1GHZ 130W NI780S-4) |
| PD84008L-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F. N-Ch Trans | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="PD84008L-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы" /> РЧ транзисторы, МОП-структура POWER R.F. N-Ch Trans) |
