| BSM100GB120DN2_E3256 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором |
| FZ800R12KS4_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.2KA | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT |
| FZ800R12KL4C Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 800A SINGLE |  Модули биполярных транзисторов с изолированным з |
| FF400R12KT3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N |
| FS75R12KT3G Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N |
| BSM10GP120_B9 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 10A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FD800R17KF6C_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.3KA | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB |
| F4-25R12YT3_B5 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT |
| FF450R17ME3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N |
| FF401R17KF6C_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A | Модули биполярных транзисторов с изолированны |
