ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)GeneSiC SemiconductorМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A SIC IGBT CoPakGA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
DDB6U30N08VR Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 26ADDB6U30N08VR Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
BSM50GB120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUALBSM50GB120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
BSM300GB120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUALBSM300GB120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT
FS150R12KT4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE 1200V, 150AFS150R12KT4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным за
FS50R06YE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60AFS50R06YE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-
FZ600R12KE4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600AFZ600R12KE4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) I
BSM400GA120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLEBSM400GA120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT
FZ1000R33HL3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KAFZ1000R33HL3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS35R12NT3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Infineon TechnologiesМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55AFS35R12NT3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-
Показано с 1691 по 1700 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 ... 4218