| PTFA220081M V4-T Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 |  |
| PD84006L-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF power trans LDmoST plastic |  |
| MRF8P20140WHR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 2GHZ 24W NI780-4 |  |
| PTFA192401E V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 9 |  |
| FMK75-01F Ixys Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Ixys | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала 75 Amps 100V |  |
| IXFF24N100 Ixys Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Ixys | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала 22 Amps 1000V 0.39 Rds |  |
| BLF6G22LS-75 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS |  |
| GWM220-004P3-SMD Ixys Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Ixys | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала 220 Amps 40V |  |
| BLF6G27-135 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS |  |
| BLF6G38-10 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала LDMOS TNS |  |
| BFU730F,115 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |  |
| BFU760F,115 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |  |
| BFU790F,115 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |  |
| BFU710F,115 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |  |
| BFP 650 H6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR |  |
| BFP 720 H6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR |  |
| BLF6G27-10 Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | | РЧ полевые транзисторы |  |
| BFP 740F H6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR |  |
| BFR 181 E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicon RF TRANSISTOR |  |
| BFP 720ESD H6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORS |  |