| FS200R12KT4R Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FS200R12KT4R Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ) |
| FZ1600R12KF4< Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.6KA | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FZ1600R12KF4< Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)) |
| FMBL1G100US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FMBL1G100US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB) |
| FZ1800R17KF6C_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.9KA | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FZ1800R17KF6C_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IG) |
| BSM50GD120DN2G Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM50GD120DN2G Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FMM7G30US60N Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Module | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4763074.jpg" alt="FMM7G30US60N Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным зат) |
| BSM600GA120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM600GA120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| BSM200GAR120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A GAR CH | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM200GAR120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB) |
| BSM25GP120_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 25A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM25GP120_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)) |
| FF200R06KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="FF200R06KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным за) |
| FMM7G20US60I Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Module | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4763767.jpg" alt="FMM7G20US60I Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным зат) |
| FMM6G20US60S Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4764128.jpg" alt="FMM6G20US60S Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным зат) |
| FMG1G300US60LE Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4763927.jpg" alt="FMG1G300US60LE Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным з) |
| FM2G200US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4764798.jpg" alt="FM2G200US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затв) |
| FMM7G30US60SI Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FMM7G30US60SI Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)) |
| BSM600GA120DLCS Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM600GA120DLCS Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB) |
| FMM7G20US60SN Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Compact Module Complex | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4765145.jpg" alt="FMM7G20US60SN Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным за) |
| FF400R12KF4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A DUAL | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FF400R12KF4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1) |
| F4-400R12KS4_B2 Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="F4-400R12KS4_B2 Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)) |
| FZ1200R17KF6C-B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A SINGLE | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FZ1200R17KF6C-B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IG) |
