| RGL41GHE3/76 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1 Amp 400 Volt 150ns | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4016613.jpg" alt="RGL41GHE3/76 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1 Amp 400 Volt 150ns) |
| RS2B-E3/1T Vishay/Dale Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay/Dale | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4018290.jpg" alt="RS2B-E3/1T Vishay/Dale Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM) |
| RGP10JE-E3/1 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 600 Volt 250ns | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4017634.jpg" alt="RGP10JE-E3/1 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 600 Volt 250ns) |
| BAV 70 B5000 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon Switch Diode 200mA | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BAV 70 B5000 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon Switch Diode 200mA) |
| BA 892-02V E6127 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon RF Switching Diode | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="BA 892-02V E6127 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon RF Sw) |
| RGP10KE-E3/3 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 800 Volt 500ns | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4019858.jpg" alt="RGP10KE-E3/3 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 800 Volt 500ns) |
| RGP10A-E3/4 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 50 Volt 150ns | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4018856.jpg" alt="RGP10A-E3/4 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 50 Volt 150ns) |
| 1N4935-E3/51 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 200 Volt | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="1N4935-E3/51 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 200 Volt) |
| BAS16J T/R NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7 | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="BAS16J T/R NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные)" /> Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7) |
| BSM50GD170DL Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 100A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM50GD170DL Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ) |
| BSM25GD120DLCE3224 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM25GD120DLCE3224 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором () |
| BSM300GA120DLCS Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="BSM300GA120DLCS Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB) |
| F3L30R06W1E3_B11 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 600V 30A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/noimage-big.gif" alt="F3L30R06W1E3_B11 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированн) |
| FS35R12W1T4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FS35R12W1T4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N) |
| FS225R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 225A 3-PHASE | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4653253.jpg" alt="FS225R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвор) |
| BSM35GB120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A DUAL | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4653565.jpg" alt="BSM35GB120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затв) |
| FS15R12YT3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/4652774.jpg" alt="FS15R12YT3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затворо) |
| FP25R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FP25R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 12) |
| FP15R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 27A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FP15R12KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-) |
| FS30R06W1E3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45A | ![Изображение](<img src="http://igbt.by/image_poluprovodnikovie_pribori/" alt="FS30R06W1E3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)" /> Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N) |
