| BLF8G10L-160,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| BLF8G22L-160BV,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | Transistors de puissance RF a MOSFET 160W LDMOS TRANSISTR |  |
| PTFB193404F V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz |  |
| BLF7G10L-250,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | NXP Semiconductors | РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR |  |
| PTFB211503FL V2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz |  |
| PD84010TR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz |  |
| BFR 460L3 E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA |  |
| BFP 620 H7764 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR |  |
| LET9060 STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | STMicroelectronics | РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD |  |
| BFR 740L3RH E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn Germanium RF Transistor |  |
| NESG3033M14-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |  |
| NESG204619-T1-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Amp/Oscillator |  |
| BFR 193L3 E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicon RF TRANSISTOR |  |
| NESG2101M16-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN High Frequency |  |
| NESG2101M05-T1-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN SiGe High Freq |  |
| NESG3031M14-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN SiGe High Freq |  |
| NESG2031M16-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN High Frequency |  |
| NESG3032M14-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |  |
| NESG2031M05-T1-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN SiGe High Freq |  |
| NESG2021M16-T3-A CEL Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN High Frequency |  |