ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
BLA6G1011L-200RG,1 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsРЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTORBLA6G1011L-200RG,1 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
BLF8G22LS-160BV:11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsРЧ транзисторы, МОП-структура 160W LDMOS TRANSISTRBLF8G22LS-160BV:11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура 160W LDMOS TRANSISTR
BLL6G1214LS-250,11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsРЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTORBLL6G1214LS-250,11 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
PTFB183404E V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHzPTFB183404E V1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 1805-1880 MHz
PTFB082817FH V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHzPTFB082817FH V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура LD9 280W 30V 791-821MHz
MRF8S8260HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыFreescale SemiconductorРЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 260W NI880HMRF8S8260HR5 Freescale Semiconductor Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура HV8 900MHZ 260W NI880H
PTFB182503FL V2 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHzPTFB182503FL V2 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 240W 1805-1880 MHz
PTFA091203EL V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHzPTFA091203EL V4 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz
SD2931-12W STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыSTMicroelectronicsРЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHzSD2931-12W STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
PTFA091203EL V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHzPTFA091203EL V4 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура LDMOS 120W 920-960MHz
Показано с 6101 по 6110 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 612 613 614 615 616 617 618 619 620 ... 4218