| FS200R12KT4R Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 200A |  Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FZ1600R12KF4< Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 1.6KA | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FMBL1G100US60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB |
| FZ1800R17KF6C_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.9KA | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IG |
| BSM50GD120DN2G Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT |
| FMM7G30US60N Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Module |  Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| BSM600GA120DLC Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 900A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT |
| BSM200GAR120DN2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A GAR CH | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGB |
| BSM25GP120_B2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1600V 25A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| FF200R06KE3 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 260A |  Модули биполярных транзисторов с изолированным за |
