| RGL41GHE3/76 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1 Amp 400 Volt 150ns |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1 Amp 400 Volt 150ns |
| RS2B-E3/1T Vishay/Dale Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay/Dale | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 1.5A 150ns 50 Amp IFSM |
| RGP10JE-E3/1 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 600 Volt 250ns |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 600 Volt 250ns |
| BAV 70 B5000 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon Switch Diode 200mA |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon Switch Diode 200mA |
| BA 892-02V E6127 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Infineon Technologies | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon RF Switching Diode |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) Silicon RF Sw |
| RGP10KE-E3/3 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 800 Volt 500ns |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 800 Volt 500ns |
| RGP10A-E3/4 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 50 Volt 150ns |  Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 50 Volt 150ns |
| 1N4935-E3/51 Vishay Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 200 Volt | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0 Amp 200 Volt |
| BAS16J T/R NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7 | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7 |
| BSM50GD170DL Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 100A | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
