ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
IXGC16N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 8 Amps 600V 3 V RdsIXGC16N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 8 Amps 600V 3 V Rds
IXGH36N60B3D4 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 600VIXGH36N60B3D4 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 600V
IXSH30N60BD1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 600V 2 RdsIXSH30N60BD1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 600V 2 Rds
IXGT20N120B Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 3.4 V RdsIXGT20N120B Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1200V 3.4 V Rds
IXBT42N170A Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IXBT42N170A Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IXGT28N120B Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V RdsIXGT28N120B Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
IXGX60N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V 1.8 V RdsIXGX60N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V 1.8 V Rds
IXGR24N120C3H1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200VIXGR24N120C3H1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 1200V
TT425N14KOF Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Дискретные полупроводниковые модулиInfineon TechnologiesДискретные полупроводниковые модули 1400V 800A DUALTT425N14KOF Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Дискретные полупроводниковые модули Дискретные полупроводниковые модули 1400V 800A DUAL
3U50PB10G1K1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Дискретные полупроводниковые модулиInfineon TechnologiesДискретные полупроводниковые модули 10"WIRE LEAD - G1K13U50PB10G1K1 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,Дискретные полупроводниковые модули Дискретные полупроводниковые модули 10"WIRE LEAD - G1K1
Показано с 4271 по 4280 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433 434 435 436 437 ... 4218