ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
IXGR50N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 36 Amps 600V 2.0 V RdsIXGR50N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 36 Amps 600V 2.0 V Rds
IXGX50N60BD1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 2.3 RdsIXGX50N60BD1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V 2.3 Rds
IXSP20N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 600V 2.5 RdsIXSP20N60B2D1 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 600V 2.5 Rds
IXGQ150N30TC Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 300VIXGQ150N30TC Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 150 Amps 300V
IXGT16N170 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V RdsIXGT16N170 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
IXGR50N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V 2.5 V RdsIXGR50N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 600V 2.5 V Rds
IXGP16N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 16 Amps 600V 3.0 V RdsIXGP16N60C2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 16 Amps 600V 3.0 V Rds
IXGR60N60B2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)IxysБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 47 Amps 600V 1.8 V RdsIXGR60N60B2 Ixys Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 47 Amps 600V 1.8 V Rds
FSBS5CH60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWERFSBS5CH60 Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_P
HGTP5N120BND Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Fairchild SemiconductorБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-ChHGTP5N120BND Fairchild Semiconductor Полупроводниковые приборы,Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a
Показано с 4021 по 4030 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 393 394 395 396 397 398 399 400 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 412 ... 4218