ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ  РАДИОДЕТАЛИ тиристор диод модуль igbt semikron
конденсатор пусковой cbb 60
предохранитель
вентилятор вн2 вн-2 вн 2
главная страница радиодеталискачать прайс download priceКонтакты
НаименованиеПроизводительТехнические характеристики описание Фото
BLF8G10L-160,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsРЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTORBLF8G10L-160,118 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
BLF8G22L-160BV,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsTransistors de puissance RF a MOSFET 160W LDMOS TRANSISTRBLF8G22L-160BV,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы Transistors de puissance RF a MOSFET 160W LDMOS TRANSISTR
PTFB193404F V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHzPTFB193404F V1 R250 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 340W 30V 1930-1990 MHz
BLF7G10L-250,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыNXP SemiconductorsРЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTORBLF7G10L-250,112 NXP Semiconductors Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура PWR LDMOS TRANSISTOR
PTFB211503FL V2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHzPTFB211503FL V2 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF LDMOS FETs 150W 2110-2170 MHz
PD84010TR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыSTMicroelectronicsРЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHzPD84010TR-E STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz
BFR 460L3 E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mABFR 460L3 E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
BFP 620 H7764 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTORBFP 620 H7764 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, кремний-германиевые RF BIP TRANSISTOR
LET9060 STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыSTMicroelectronicsРЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESDLET9060 STMicroelectronics Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, МОП-структура RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
BFR 740L3RH E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторыInfineon TechnologiesРЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn Germanium RF TransistorBFR 740L3RH E6327 Infineon Technologies Полупроводниковые приборы,РЧ полевые транзисторы РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicn Germanium RF Transistor
Показано с 2181 по 2190 из 42179 наименований
Страницы: < предыдущая следующая >

... 209 210 211 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 ... 4218